2023~2024学年核心突破XGKFJ(二)2化学XGKFJ答案

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8A山,N为前周州明的代元术,原子作数依次通增,A与B.C一DE可形批你E经视整的四种处术单横雕与水装准州得的米M的限于接外地于救比书,C,D三种原子的核外电子数之利款大中心为人类最外价机的华体然件的理材料,请同答下列同题)元素M往元素周期表中的位置为XXXXXX)A、D西种元款形成原个教比为11的化介物的电子式为XX效款期》西钟元素形限的化合物每聚装有机物气体,其反度方程式为取的气体中由手发应物的不纯,可能会音有日,号和PH等杂质,川+除去。(d)心的前单氧化物与D反应产生无污染气休时的化学方程式为S)8和G同主族该族第n,第大周期对应的元素为M元素和N元素DG的原子序数为G、M、N三种元素最高价氧化物对应水化物的碱性由强到弱的顺序为(填化学式)。风5分)无款斯心北化合物有广泛川途。请根的则明表中第三周期元素相关知识回答下列同题:()按原子序数递增的顺序(稀有气休除外),以下说法正确的是a、原子半径和离子半径均减小6金属性减司,非金属性增湖心氧化物对应的水化物减性减羽,酸性增强d单质的熔点降低(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为,氧化性最弱的简单阳离子是(3)已知:化合物MgOAl2OMgClaAICls类型离子化合物离子化合物离子化合物共价化合物熔点/℃28522054714194工业制镁时,电解MgCL2而不电解MgO的原因是制铝时,电解AlO,而不电解A1CL,的原因是(4)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:S粗)sC熟sCL(纯)s纯)SCL,的电子式为;在上述由SiCl4(1)制纯硅的反应中,测得每生成1.12kg纯硅需吸收ak热量,该反应的热化学方程式为(5)P2O是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用PO干燥的是a.NHsb.HIc.SO2d.CO2(6)KC1O可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1:1。该反应的化学方程式为石校醒秩星高考复习全程精练·单元卷化学RB(五)第20页
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